DMT3006LDK-7 - MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Hersteller Teilenummer

DMT3006LDK-7

Interne Teilenummer

AX-DMT3006LDK-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

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Technische Daten für DMT3006LDK-7

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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT3006LDK-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : V-DFN3030-8

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMT3006LDK-7

Datenblätter : DMT3006LDK-7.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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