IXTX120P20T - MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247

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MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
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Technische Daten für IXTX120P20T

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTX120P20T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
Serie : TrenchP™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 740nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 73000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IXT , IXTX1

Dokumente für IXTX120P20T

Datenblätter : IXTX120P20T.pdf

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