DMN3026LVTQ-13 - MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Hersteller Teilenummer

DMN3026LVTQ-13

Interne Teilenummer

AX-DMN3026LVTQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2775110 Pieces

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Technische Daten für DMN3026LVTQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN3026LVTQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 643pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TSOT-26

Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN3 , DMN3026

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Datenblätter : DMN3026LVTQ-13.pdf

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