2N7002-T1-GE3 - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

Hersteller Teilenummer

2N7002-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-2N7002-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2878465 Pieces

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Technische Daten für 2N7002-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N7002-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 115mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 200mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-236

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2N7002-T1-GE3

Datenblätter : 2N7002-T1-GE3.pdf

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