NTLGF3501NT2G - MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
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Technische Daten für NTLGF3501NT2G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTLGF3501NT2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
Serie : FETKY™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 275pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.14W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-DFN (3x3)
Paket / fall : 6-VDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NTLGF3501NT2G
Datenblätter : NTLGF3501NT2G.pdf
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