W987D2HBJX6I - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller Teilenummer

W987D2HBJX6I

Interne Teilenummer

AX-W987D2HBJX6I

Hersteller

Winbond Electronics

Kurze Beschreibung

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

214765 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für W987D2HBJX6I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : W987D2HBJX6I

Hersteller : Winbond Electronics

Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße : 128Mb (4M x 32)

Taktfrequenz : 166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns

Zugriffszeit : 5.4ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 90-TFBGA

Supplier Device Package : 90-VFBGA (8x13)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : W987 , W987D2

Dokumente für W987D2HBJX6I

Datenblätter : W987D2HBJX6I.pdf

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