IXTA1N200P3HV - MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Hersteller Teilenummer

IXTA1N200P3HV

Interne Teilenummer

AX-IXTA1N200P3HV

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

71060 Pieces

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Technische Daten für IXTA1N200P3HV

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTA1N200P3HV

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 2000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 646pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTA1N200P3HV

Datenblätter : IXTA1N200P3HV.pdf

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