IPL65R210CFDAUMA1 - MOSFET N-CH 4VSON

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 4VSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPL65R210CFDAUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPL65R210CFDAUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 4VSON
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 151W (Tc)
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-VSON-4
Paket / fall : 4-PowerTSFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPL65 , IPL65R21

Dokumente für IPL65R210CFDAUMA1

Datenblätter : IPL65R210CFDAUMA1.pdf

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