DN3535N8-G - MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3

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MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
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Technische Daten für DN3535N8-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DN3535N8-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 350V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 230mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-243AA (SOT-89)
Paket / fall : TO-243AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DN3535N8-G

Datenblätter : DN3535N8-G.pdf

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