EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR - IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller Teilenummer

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Interne Teilenummer

AX-EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

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Technische Daten für EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße : 512Mb (16M x 32)

Taktfrequenz : 533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TC)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 134-VFBGA

Supplier Device Package : 134-VFBGA (10x11.5)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : EDB5432B , EDB5432BEBH-

Dokumente für EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

Datenblätter : EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf

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