AIHD03N60RFATMA1 - IC DISCRETE 600V TO252-3
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Kurze Beschreibung
IC DISCRETE 600V TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für AIHD03N60RFATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AIHD03N60RFATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IC DISCRETE 600V TO252-3
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 5A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 7.5A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 2.5A
Leistung max : 53.6W
Energie wechseln : 50µJ (on), 40µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 17.1nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 10ns/128ns
Testbedingung : 400V, 2.5A, 68 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : PG-TO252-3-313
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AIHD03N60RFATMA1
Datenblätter : AIHD03N60RFATMA1.pdf
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