BUK7E4R0-80E,127 - MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BUK7E4R0-80E,127
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BUK7E4R0-80E,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
169nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12030pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
349W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BUK7E4R0-80E,127
Datenblätter :
BUK7E4R0-80E,127.pdf
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