IPD30N06S2-15 - MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPD30N06S2-15
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD30N06S2-15
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 80µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1485pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 136W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD30N06S2-15
Datenblätter : IPD30N06S2-15.pdf
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