SZESD8351MUT5G - TVS DIODE 3.3V 11.2V 2X3DFN
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Kurze Beschreibung
TVS DIODE 3.3V 11.2V 2X3DFN
RoHS-Status
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Technische Daten für SZESD8351MUT5G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SZESD8351MUT5G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TVS DIODE 3.3V 11.2V 2X3DFN
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Art : Zener
Unidirektionale Kanäle : 1
Bidirektionale Kanäle : -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) : 3.3V (Max)
Spannung - Durchschlag (min.) : 5.5V
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp : 11.2V
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) : 5A (8/20µs)
Leistung - Spitzenimpuls : -
Stromleitungsschutz : No
Anwendungen : Automotive
Kapazität bei Frequenz : 0.37pF @ 1MHz
Betriebstemperatur : -55°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 0201 (0603 Metric)
Supplier Device Package : 2-X3DFN (0.62x0.32)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SZESD8351MUT5G
Datenblätter : SZESD8351MUT5G.pdf
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