SE30AFB-M3/6B - DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
RoHS-Status
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Technische Daten für SE30AFB-M3/6B
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SE30AFB-M3/6B
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.4A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 19pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-221AC, SMA Flat Leads
Supplier Device Package : DO-221AC
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SE30AFB-M3/6B
Datenblätter : SE30AFB-M3/6B.pdf
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