EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2107ENGRT
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
538710 Pieces
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Technische Daten für EPC2107ENGRT
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EPC2107ENGRT
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
9-VFBGA
Supplier Device Package :
9-BGA (1.35x1.35)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EPC2107ENGRT
Datenblätter :
EPC2107ENGRT.pdf
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