EPC2107ENGRT - GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-EPC2107ENGRT
Hersteller
Kurze Beschreibung
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für EPC2107ENGRT
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : EPC2107ENGRT
Hersteller : EPC
Beschreibung : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 9-VFBGA
Supplier Device Package : 9-BGA (1.35x1.35)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für EPC2107ENGRT
Datenblätter : EPC2107ENGRT.pdf
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