IRFH8337TRPBF - MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Hersteller Teilenummer

IRFH8337TRPBF

Interne Teilenummer

AX-IRFH8337TRPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1144935 Pieces

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Technische Daten für IRFH8337TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFH8337TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Ta), 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.2W (Ta), 27W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PQFN (5x6)

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFH8337TRPBF

Datenblätter : IRFH8337TRPBF.pdf

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