1N8030-GA - DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für 1N8030-GA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N8030-GA
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 750mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.39V @ 750mA
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-257-3
Supplier Device Package : TO-257
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 250°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für 1N8030-GA

Datenblätter : 1N8030-GA.pdf

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