IXFX180N10 - MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFX180N10
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
38286 Pieces
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Technische Daten für IXFX180N10
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXFX180N10
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
390nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
560W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXFX180N10
Datenblätter :
IXFX180N10.pdf
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