RJK6006DPD-00#J2 - MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
17400 Pieces
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Technische Daten für RJK6006DPD-00#J2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RJK6006DPD-00#J2
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
77.6W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MP-3A
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RJK6006DPD-00#J2
Datenblätter :
RJK6006DPD-00#J2.pdf
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