CY7C13121KV18-300BZXC - IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CY7C13121KV18-300BZXC
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CY7C13121KV18-300BZXC
Hersteller : Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung : IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße : 18Mb (1M x 18)
Taktfrequenz : 300MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 165-LBGA
Supplier Device Package : 165-FBGA (13x15)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CY7C13121KV18-300BZXC
Datenblätter : CY7C13121KV18-300BZXC.pdf
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