FDV302P-NB8V001 - MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Hersteller Teilenummer

FDV302P-NB8V001

Interne Teilenummer

AX-FDV302P-NB8V001

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

16216 Pieces

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Technische Daten für FDV302P-NB8V001

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDV302P-NB8V001

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Serie : -

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.31nC @ 4.5V

Vgs (Max) : -8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDV30 , FDV302P

Dokumente für FDV302P-NB8V001

Datenblätter : FDV302P-NB8V001.pdf

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