FQD12N20LTM - MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FQD12N20LTM
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1033060 Pieces
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Technische Daten für FQD12N20LTM
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FQD12N20LTM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FQD12N20LTM
Datenblätter :
FQD12N20LTM.pdf
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