FDV303N_NB9U008 - MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Hersteller Teilenummer

FDV303N_NB9U008

Interne Teilenummer

AX-FDV303N_NB9U008

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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66050 Pieces

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Technische Daten für FDV303N_NB9U008

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDV303N_NB9U008

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 680mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 350mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDV30 , FDV303N

Dokumente für FDV303N_NB9U008

Datenblätter : FDV303N_NB9U008.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
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