PMV65ENEAR - MOSFET N-CH 20V TO-236AB

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MOSFET N-CH 20V TO-236AB
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Technische Daten für PMV65ENEAR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMV65ENEAR
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V TO-236AB
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-236AB
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : PMV , PMV65

Dokumente für PMV65ENEAR

Datenblätter : PMV65ENEAR.pdf

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