TK65G10N1,RQ - MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Hersteller Teilenummer

TK65G10N1,RQ

Interne Teilenummer

AX-TK65G10N1,RQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

359515 Pieces

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Technische Daten für TK65G10N1,RQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK65G10N1,RQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 81nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK65G10N1,RQ.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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