TPCC8093,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TPCC8093,L1Q
Hersteller
Kurze Beschreibung
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2197400 Pieces
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Technische Daten für TPCC8093,L1Q
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TPCC8093,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSVII
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.9W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TPCC8093,L1Q
Datenblätter :
TPCC8093,L1Q.pdf
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