SI8401DB-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
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Technische Daten für SI8401DB-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI8401DB-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.47W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-Microfoot
Paket / fall :
4-XFBGA, CSPBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI8401DB-T1-E3
Datenblätter :
SI8401DB-T1-E3.pdf
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