SIHF10N40D-E3 - MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Hersteller Teilenummer

SIHF10N40D-E3

Interne Teilenummer

AX-SIHF10N40D-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

247405 Pieces

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Technische Daten für SIHF10N40D-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIHF10N40D-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 400V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 526pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 33W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220 Full Pack

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIHF , SIHF10

Dokumente für SIHF10N40D-E3

Datenblätter : SIHF10N40D-E3.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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GRM1555C1E8R1CZ01D	Murata Electronics North America	CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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