IPD60R380E6BTMA1 - MOSFET NCH 600V 10.6A TO252

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MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
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Technische Daten für IPD60R380E6BTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD60R380E6BTMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 300µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 100V
FET-Funktion : Super Junction
Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPD60 , IPD60R38

Dokumente für IPD60R380E6BTMA1

Datenblätter : IPD60R380E6BTMA1.pdf

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