IPP65R125C7XKSA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IPP65R125C7XKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPP65R125C7XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Serie : CoolMOS™ C7
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 101W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPP65R125C7XKSA1
Datenblätter : IPP65R125C7XKSA1.pdf
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