SIZ322DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
RoHS-Status
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Technische Daten für SIZ322DT-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIZ322DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Serie : TrenchFET® Gen IV
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20.1nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 12.5V
Leistung max : 16.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-Power33 (3x3)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIZ322DT-T1-GE3
Datenblätter : SIZ322DT-T1-GE3.pdf
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