DMN90H8D5HCTI - MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMN90H8D5HCTI
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN90H8D5HCTI
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
470pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ITO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN90H8D5HCTI
Datenblätter :
DMN90H8D5HCTI.pdf
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