IRF6603 - MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Hersteller Teilenummer

IRF6603

Interne Teilenummer

AX-IRF6603

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

65680 Pieces

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Technische Daten für IRF6603

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF6603

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 27A (Ta), 92A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 4.5V

Vgs (Max) : +20V, -12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6590pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DIRECTFET™ MT

Paket / fall : DirectFET™ Isometric MT

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF6603

Datenblätter : IRF6603.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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