IPL65R650C6SATMA1 - MOSFET N-CH 8TSON

Hersteller Teilenummer

IPL65R650C6SATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPL65R650C6SATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 8TSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

655760 Pieces

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Technische Daten für IPL65R650C6SATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPL65R650C6SATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 8TSON

Serie : CoolMOS™ C6

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 56.8W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : Thin-PAK (5x6)

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IPL65R650C6SATMA1

Datenblätter : IPL65R650C6SATMA1.pdf

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