IPW60R105CFD7XKSA1 - HIGH POWERNEW
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HIGH POWERNEW
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPW60R105CFD7XKSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPW60R105CFD7XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
HIGH POWERNEW
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 470µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1752pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
106W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO247-3-41
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPW60R105CFD7XKSA1
Datenblätter :
IPW60R105CFD7XKSA1.pdf
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