1N4446_T50R - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller Teilenummer

1N4446_T50R

Interne Teilenummer

AX-1N4446_T50R

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12072 Pieces

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Technische Daten für 1N4446_T50R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N4446_T50R

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 20mA

Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr) : 4ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25nA @ 20V

Kapazität @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : DO-204AH, DO-35, Axial

Supplier Device Package : DO-35

Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 1N4 , 1N444

Dokumente für 1N4446_T50R

Datenblätter : 1N4446_T50R.pdf

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