DMN62D0LFB-7 - MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3

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MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
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Technische Daten für DMN62D0LFB-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN62D0LFB-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.45nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 32pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 470mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 3-X1DFN1006
Paket / fall : 3-UFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN62D0LFB-7

Datenblätter : DMN62D0LFB-7.pdf

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