DMN90H8D5HCT - MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Hersteller Teilenummer

DMN90H8D5HCT

Interne Teilenummer

AX-DMN90H8D5HCT

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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338840 Pieces

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Technische Daten für DMN90H8D5HCT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN90H8D5HCT

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN9 , DMN90H

Dokumente für DMN90H8D5HCT

Datenblätter : DMN90H8D5HCT.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
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