JANTXV1N3766R - DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für JANTXV1N3766R
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTXV1N3766R
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Serie : Military, MIL-PRF-19500/297
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis, Stud Mount
Paket / fall : DO-203AB, DO-5, Stud
Supplier Device Package : DO-5
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JANTXV1N3766R
Datenblätter : JANTXV1N3766R.pdf
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