K4B4G1646D-BYNB - 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Technische Daten für K4B4G1646D-BYNB
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4B4G1646D-BYNB
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Dichte : 4 Gb
Org. : 256M x 16
Geschwindigkeit : 2133 Mbps
Stromspannung : 1.35 V
Temp. : 0 ~ 85 °C
Paket : 96FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für K4B4G1646D-BYNB
Datenblätter : K4B4G1646D-BYNB.pdf
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