FDMD8900 - MOSFET 2N-CH 30V POWER
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-FDMD8900
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V POWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
482800 Pieces
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Technische Daten für FDMD8900
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMD8900
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V POWER
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A, 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2605pF @ 15V
Leistung max : 2.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 12-PowerWDFN
Supplier Device Package : 12-Power3.3x5
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FDMD8900
Datenblätter : FDMD8900.pdf
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