IRLR3636TRPBF - MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Hersteller Teilenummer

IRLR3636TRPBF

Interne Teilenummer

AX-IRLR3636TRPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

535515 Pieces

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Technische Daten für IRLR3636TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRLR3636TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3779pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 143W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRLR , IRLR36

Dokumente für IRLR3636TRPBF

Datenblätter : IRLR3636TRPBF.pdf

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