K4B2G1646F-BYNB - 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für K4B2G1646F-BYNB
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
K4B2G1646F-BYNB
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Dichte :
2 Gb
Org. :
128M x 16
Geschwindigkeit :
2133 Mbps
Stromspannung :
1.35 V
Temp. :
0 ~ 85 °C
Paket :
96FBGA
Produckstatus :
Mass Production
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für K4B2G1646F-BYNB
Datenblätter :
K4B2G1646F-BYNB.pdf
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