IRFBE30STRR - MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Hersteller Teilenummer

IRFBE30STRR

Interne Teilenummer

AX-IRFBE30STRR

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

63900 Pieces

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Technische Daten für IRFBE30STRR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFBE30STRR

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRFBE

Dokumente für IRFBE30STRR

Datenblätter : IRFBE30STRR.pdf

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