MCB40P1200LB - POWER MOSFET

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POWER MOSFET
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Technische Daten für MCB40P1200LB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MCB40P1200LB
Hersteller : IXYS
Beschreibung : POWER MOSFET
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 58A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 9-SMD Power Module
Supplier Device Package : SMPD
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MCB4 , MCB40P

Dokumente für MCB40P1200LB

Datenblätter : MCB40P1200LB.pdf

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