IPI110N20N3GAKSA1 - MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
RoHS-Status
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Technische Daten für IPI110N20N3GAKSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPI110N20N3GAKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 88A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7100pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPI110N20N3GAKSA1
Datenblätter : IPI110N20N3GAKSA1.pdf
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