RR2L6SDDTE25 - DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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USD 0.13464
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Technische Daten für RR2L6SDDTE25

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RR2L6SDDTE25
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Not For New Designs
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 2A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : PMDS
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RR2L , RR2L6S

Dokumente für RR2L6SDDTE25

Datenblätter : RR2L6SDDTE25.pdf

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