SPI20N60C3HKSA1 - MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
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Technische Daten für SPI20N60C3HKSA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SPI20N60C3HKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
114nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
208W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SPI20N60C3HKSA1
Datenblätter :
SPI20N60C3HKSA1.pdf
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