FDMD8530 - MOSFET 2N-CH 30V 35A

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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 35A
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDMD8530

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMD8530
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 35A
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.25 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 149nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10395pF @ 15V
Leistung max : 2.2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : Power56
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDMD8530

Datenblätter : FDMD8530.pdf

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